Abstract
我們結合原子力顯微鏡 (atomic force microscopy,AFM) 的機械微影能力,和一般光學微影技術,製作出具有奈米級間距的水平電極結構。藉由 AFM 以及掃描式電子顯微鏡 (scanning electron microscopy ),定出電極之間距(L)、寬度(W)、高度(H)分別為 200 nm、13 µm 和 25 nm。並利用此電極量測不同濃度的 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5-(2-ethyl-hexoxy)-p-phenylene vinylene)]導電高分子的電荷載子傳輸特性,由於僅採用金當作電極材料,所以我們的研究可以視為是以電洞傳輸為主的電洞單一載子元件。我們將實驗結果以空間電荷限制電流 (space charge limited current,SCLC) 理論和 Poole-Frenkel 定理來分析,得到無電場下電洞遷移率 (µ0) 分別為 2.14×10−4、2.01×10−5 cm2/Vs,且電場係數 (E0) 為 5.02×105、1.46×105 V/cm。µ0的實驗結果與巨觀尺度相比,大了約兩個級數,因而可知導電高分子的電荷傳輸特性在奈米尺度時大大地不同。