Abstract
本研究針對Ag-In-Sb-Te CD-RW的微結構作深入的分析，藉由高解析電子顯微鏡觀察材料的微細組織，用以解釋雷射誘發相變化的機制，如初始化機制、非晶記錄跡微結構對擦拭機制的影響等。在初始化研究方面，我們發現在雷射初始化後，記錄層生成呈條狀織構的metastable f.c.c. phase，在織構中存在著格隙原子、雜質原子聚集。由cross-section TEM觀察與靜態測試結果顯示，此材料成核困難，配合光碟的溝軌幾何形狀以及碟片旋轉所造成的溫度誘發非等向性晶粒成長，可以解釋初始化微結構之生成機制。在非晶記錄跡擦拭機制研究方面，我們發現在低轉速記錄時，在非晶記錄跡中有nm-scale的原子團簇產生。在擦拭過程中，這些團簇可以進行成核成長過程而結晶化。隨著轉速的增加，非晶記錄跡中央的有序排列程度越小。由於成核困難的困難性，故在擦拭過程中，傾向由記錄跡周圍的結晶區域直接成長所主導。 本研究亦針對Ag-In-Sb-Te CD-RW的衰退現象進行分析，觀察衰退前微結構與元素組成之變化，並進行微區晶相分析，提出可能的衰退機制，希望能藉由對衰退機制的了解，提出增加覆寫次數之方法。利用穿透式電子顯微鏡(TEM)進行衰退試片planview與cross-section觀察，分析其膜厚及微結構之變化。並採用TEM附屬能量散佈分析儀來分析記錄層planview的微區組成變異。實驗結果顯示，在衰退試片中有孔洞生成、記錄跡變形、組成偏析與新相生成等現象，這些現象均會導致局部區域光吸收率與反射率值的變化，增加記錄跡與讀取訊號的不均勻性，使jitter值上升，產生衰退現象。這些衰退現象的產生，與寫擦時的溫度有很大的關連性，選擇適當的寫擦功率，可以增加覆寫次數。此外，在記錄膜鍍膜方式使用RF濺鍍取代DC濺鍍，可減少記錄膜中的缺陷(defects)以及濺鍍氣體的含量，亦可增加覆寫次數，配合適當的初始化條件與寫擦功率下，可以達到20,000次的覆寫。