Abstract
本研究分為兩系統討論:一為氧化鋁/二氧化鈦奈米線系統；另一則為矽/氧化矽奈米線系統。 經由熱蒸鍍法與原子層沉積技術所合成的氧化鋁/二氧化鈦奈米線，具有電荷儲存能力與光觸媒性質。經由穿透式電子顯微鏡、奈米歐傑電子能譜與X光電子能譜儀可鑑定此二元氧化物奈米結構的成分與組成為氧化鋁與二氧化鈦。此奈米複合材料的電容改善來自於實驗中所發現的缺氧能態 (oxygen deficient states, ODSs)。由二氧化鈦提供的光觸媒能力在不同的退火環境下因為缺氧能態的改變而會隨之變動，具有可調控性。同時也透過陰極螢光光譜與X光電子能譜儀等分析，證明缺氧能態的存在。 在矽/氧化矽奈米線系統中，核殼奈米線利用錫與一氧化矽作為反應物，以熱蒸鍍法合成。核殼奈米線聚集組裝成類似水母的結構，其成長機制與區域細化驅使奈米線在固-液介面的相分離有關。透過傅立葉轉換遠紅外光光譜、陰極螢光光譜，以及拉曼光譜，也驗證矽/氧化矽奈米線的紅光與藍光發射特性及其發光中心。