Abstract
本論文在深入探討奈米級金氧半電晶體繼續微縮的可行性，提出創新的短通道效應解析模型及完整的元件設計之解決方案。在這論文中完整的推導出奈米級金氧半電晶體的短通道效應解析模型，涵蓋各式各樣的通道摻雜和接面結構，能夠清楚正確而完全解析的來分析奈米級金氧半電晶體的短通道行為。並提出一個新穎的元件設計方案，包括元件結構與通道摻雜的設計以及製作的方法，具有極佳的短通道表現及極小的汲極漏電流與適當低的臨界電壓，能將金氧半電晶體元件成功微縮到五十奈米以下。
- Title
- Device Design and Modeling of Short-Channel Effect for Nanoscale MOSFET
- Translated title
- Device Design and Modeling of Short-Channel Effect for Nanoscale MOSFET
- Creators
- Chun-Hsing Shih
- Contributors
- Chenhsin Lien (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 電機工程學系; Doctor of Philosophy (PHD)
- Theses and Dissertations
- Doctor of Philosophy (PHD), 國立清華大學, 電機工程學系
- Language
- English
- Resource Type
- Dissertation