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Epitaxial Growth, Fundamental Properties, and Device Applications of III-Nitride Semiconductor Nanorods
Dissertation

Epitaxial Growth, Fundamental Properties, and Device Applications of III-Nitride Semiconductor Nanorods

Lin, Hon-Way
Doctor of Philosophy (PHD), 國立清華大學, 物理系
2010

Abstract

氮化鎵 氮化銦鎵 奈米柱 白光發光二極體 分子束磊晶 三族氮化物 GaN InGaN Nanorods Withe LEDs PAMBE III-Nitrides
本論文討論以在矽基板上利用分子束磊晶成長法應用於三族氮化物(氮化鎵、氮化銦鎵)奈米柱材料之成長。並對其結構以及光學性質做詳細的分析與討論,並以實際元件來說明此材料之發展潛力。 矽基板相較於其它基板(例如: 氧化鋁、碳化矽)擁有與價格便宜之優勢,適合大面積成長,且易與IC製程整合。利用分子束磊晶所成長出的三族氮化物奈米柱呈垂直於基板的排列,且每一奈米柱皆為無應力之單晶結構,依據螢光光譜量測,氮化鎵奈米柱具有激子的發光特性且有很好的發光效率。確定了氮化鎵奈米柱之優良特性後,我們利用此結構當作模板,並且成功地在上面成長出涵蓋全可見光(400 -700 nm)波段之氮化銦鎵奈米碟。相較於氮化銦鎵薄膜,奈米碟擁有發光參數容易調控,且在長波長範圍之發光強度減弱不如薄膜嚴重。利用這些特性,我們試著將各種不同發光波段之奈米碟依不同厚度與層數疊在一起,利用此概念,成長出不需要利用任何螢光粉輔助之白光發光二極體結構,對白光照明,提供了一個新的解決方法。

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