Abstract
本論文主要分成兩大部分：第一部分著重在鈦原子在Si(111)-7×7表面的擴散過程研究；另一部分著重在GdSi1.7 的奈米結構研究。第一部分利用掃描穿隧式電子顯微鏡(STM)以及密度泛函理論(DFT)來觀察並討論鈦原子在Si(111)表面的吸附與擴散過程。優選的吸附位置與較易發生的擴散路徑皆藉由STM 觀察得到，並由DFT 的計算結果得到驗證。另一方面，藉由不同的基板成長了兩種不同型態的GdSi1.7 的奈米線(NWs)。首先測量討論在Si(001)上磊晶成長的GdSi1.7 奈米線的電性及電阻率。而對於直立(free-standing)成長的GdSi1.7 奈米線也對其優異的場發射特性做了一系列的量測與討論。