Abstract
本論文針對磁記錄磁頭所普遍應用的軟磁薄膜材料鐵鋁矽釕鈦(Sendust) 合金，及為未來趨勢使用具有較高飽和磁化量的鐵鉭氮(FeTaN)薄膜，作 系列微觀結構及磁特性的探討。而對於前者在金屬間隙型(MIG)磁頭的應 用，則研究其擬間隙生成的問題，並尋求抗擴散之金屬膜以降低其效應試 片的製備乃以濺鍍法在陶瓷基板上濺鍍磁性或金屬薄膜。以材料之微結構 來探討軟磁薄膜之高導磁率與低抗磁力機構為本研究之重點。導磁率之大 小與巨觀的磁異向性和微觀的局部異向性擾動相關。後者為薄膜結構之不 均質性引起。對於 Sendust膜，有序相之超晶格結構生成使得磁結晶異向 性降低，而差排等結構缺陷的消除，亦使得受內應力影響之磁彈性能降低 。對於足夠厚度而有相當程度優選方向的多晶體 Sendust薄膜，作適當條 件的退火處理，可以達到上述微結構之結果而提升軟磁特性。而就鐵鉭氮 薄膜而言，其軟磁化之機制來自於均勻之超微晶粒效應。在一交互偶合體 積內有足夠多的晶粒以降低有效的磁晶體異向性，而得到高導磁率。而這 些微結構包括晶粒大小、晶相等則深受濺鍍氣體中氮氣含量、及熱處理條 件等的影響。對於以金屬膜鍍在鐵鋁矽釕鈦膜與陶鐵磁體基板之間，以抗 阻氧與鋁原子相互擴散而生成非磁性相之擬間隙層之研究，以縱深侵蝕法 之歐傑電子輔以截面微結構方法，發現緻密、均勻且對氧較不敏感之金屬 如鎢、鉬之薄膜具有良好之阻絕效果，其波狀輸出可因避免非磁性相之生 成而有效降低。