Abstract
本論文旨在探討以電漿輔助化學沉積法成長氮化矽為閘極介電層，氫化非 晶矽為主動層之薄膜電晶體．研究重點係針對溫度效應及介電層和非晶矽 層厚度對薄膜電晶體電性之影響，結果顯示，最初隨著溫度的升高，伴隨 著臨界電壓和場效移動率的增加，之後趨向減少，此顯示了溫度的高溫與 低溫係由不同的機構控制著薄膜電晶體之電性．當溫度超過４２０Ｋ時， 因溫度效應使其費米能階達到類似簡併態，而使其通道一直存在，導致負 值的臨界電壓．此外，厚度效應方面其結果顯示，飽和電流和場效移動率 隨著非晶矽層厚度而增加，而臨界電壓則隨著厚度增加而減少．另外，隨 著閘極介電層厚度的減少，而飽和電流增加，然而厚度太薄時會使薄膜電 晶體的輸出特性受影響．最後，提出理論模擬溫度對薄膜電晶體電性的影 響，此模擬同時考慮局限電荷濃度；傳導帶之電子濃度和電子之場效移動 率之溫度相關性的修飾，並由柏松氏方程式導出薄膜電晶體溫度相關之電 流－電壓特性曲線，結果證實理論模擬與實驗在操作溫度範圍３０４至４ ０４Ｋ之電流－電壓特性曲線相當吻合．