Abstract
本論文提出一種新的用於半導體元件之寬頻模型建立方法。此方法使用一超短脈衝信號來量測待測元件之反射與透射時域響應，此超短脈衝輸入信號包含各種不同頻率所組成之寬頻輸入頻譜，量測系統經校正移除誤差後，可獲得待測元件之真實反射與透射時域響應，校正後之反射與透射時域響應包含了元件之寬頻、非線性、高頻等特性，這些量測到的特性將同時被含括在元件的模型參數中，稱之為Single and Unified Model。當元件所處理之信號為高速、寬頻、大信號、切換式操作時，此模型較傳統之模型更適用且更準確。