Abstract
本研究使用光譜分析法，探討聚異硫印(PITN)之前驅體高 分子，聚雙氫 異硫印(PDHITN)，之脫氫反應，使其轉變成PITN，並 製成膜。經不同反 應產物的結構鑑定，發現新的脫氫劑，其中以第三丁基次氯酸酯(tBHC)的 效能最佳．所得反應溶液經 中和安定化後，可以塗佈法成膜於基材上。 另也發現以電化學 法可自溶液 中將PDHITN脫氫而成PITN，並沉積成膜於 導電基材上，其優點為成膜迅速，脫氫效率佳，但缺點為耗費太多PDHITN ，產率不高。由產物及中間體結構之探討，得知以SO2Cl2進行 PDHITN之 脫氫反應，主要依氯苯錯合物進行脫氫而形成 benzylic radical 然後待 其鄰旁的benzylic hydrogen被脫去後，即可合併而成四取代基烯類中間 體結構，經進一步脫氫反應後，此中間體結構相互聯結而成PITN結構，又 因本反應依氯苯錯合物進行脫氫反應時，其副反應為氯化取代反應，故會 形成少量的benzyl chloride 鍵，由於氯原子具高陰電性，因此也會伴隨 氯摻雜反應，此等副反應所形成的結構缺陷會引發PITN自溶液形中沉澱出 來，因此亦無法經由塗佈而成膜。但可經由脫氫反應條 件之改變，可 製 成安定的PITN 微膠溶液。此微膠溶液經塗佈法即可成膜於基材表面上。 PITN膜之機械性質如對基材之附著性，可經由聚丙烯酸丁酯(PBMA)摻合而 得到改良，合適的摻合重量比例為5至40之PITN與95至60之PBMA摻合，所 製成之複合膜具有透光性及可逆電變色性。在電壓範圍為-0.3至1.3 V(相 對於銀絲)，它可由深藍色變為淡黃色近乎透明。