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新型化學氣相沉積前驅物的設計合成及其應用
Dissertation

新型化學氣相沉積前驅物的設計合成及其應用

周宗毅
Doctor of Philosophy (PHD), 國立清華大學, 化學系
2004

Abstract

化學氣相沉積 鈷金屬 氧化鈷 銅金屬 薄膜 可液化化學氣相沉積 Chemical vapor deposition cobalt cobalt oxide copper film DLI-CVD
在本篇論文中,我們成功的合成了兩類型之金屬錯合物,分別為鈷與銅金屬,並探討其在化學氣相沉積實驗之應用。 利用六氟戊酮亞胺或六氟-2-丙醇氨作為配位基與氯化鈷進行反應,可成功的得到一系列具有高度穩定性、高產率的化合物。選用化合物1b、6b利用簡易型熱壁式化學氣相沉積裝置進行薄膜的沉積,可成功的製作出鈷金屬或氧化鈷的薄膜;利用1,1,1,4,4,4-六氟-2,3-二(三氟甲基)-2,3-丁二醇 (PFP) 作為配位基與氯化銅反應,可以得到具有可自身還原能力的二價銅金屬錯合物8b,利用熱裂解實驗,分析裂解後所生成的化合物,可證明此一特殊現象;在化學氣相沉積實驗中,8b可成功地在氬氣與氫氣環境下製備出銅金屬薄膜,為克服其揮發性不佳的缺點,並設計出可液化化學氣相沉積裝置 (DLI-CVD, direct liquid injection CVD),來製備銅金屬薄膜。

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