Abstract
隨著電子元件縮小至奈米尺寸，金屬與矽基材的初始反應對其界面性質的影響扮演相當重要的角色。本研究利用掃描穿隧式電子顯微鏡(scanning tunneling microscopy, STM)、低能量電子繞射(low energy electron diffraction, LEED)、同步輻射紫外光光電子能譜(synchrotron radiation ultraviolet photoemission spectroscopy, SR-UPS)及穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscopy, TEM)研究鈦在矽(111)-7×7表面上的初始反應。