Abstract
利用臨場的穿透式電子顯微鏡觀察80nm及100nm厚的 CoSi2非晶質薄膜的 結晶與成長反應。結果顯示結晶速率與成長速率在固定的溫度條件下二速 率均為不變值。其結晶與成長反應的活化能分別是1.64與1.13電子伏特 (80nm試片)，以及1.35與1.04電子伏特(100nm試片)。結晶的過程是隨機 隨處發生，而成長的過程是等方向性的成長。在整體的反應比例研究中發 現80nm試片所表現的反應行為較接近二度空間的反應。100nm試片則較接 近三度空間的表現。其Avrami指數分別為3.04與3.80。利用自身關聯函數 分析鉬/矽及鎢/矽界面非晶質中間層的最初形成規則結構分別是Mo3Si及 W3Si。在鉬/矽多層結構的熱穩定性研究中發現，250 ℃的退火可避免矽 化物的形成並使界面變得平整，有利於 X-光的反射率。各溫度及時間的 退火後所產生的矽化物也都以截面觀察及正面觀察研究鑑認