Abstract
Cuin Ga Te Se 五元半導體為正在發展中的一種新太陽電池材料。化合物導體材料的物理特性受其主要成份及其中雜質元素的影響甚巨。本研究目的是為建立該五元材料的主要成份與微量雜質的系統分析方法。對于組成成份的分析，本研究選用電分析化學上的coulometry法，主要因此方法具有高精密(誤差≦0.1%)的分析特性。本文曾各別就五個元素的電化學分的條件作詳細的探討，並綜合所得結果建立一套五元材料的系統分析程序。藉所建立的方法實際分析該五種元素的試樣液溶，所得結果如下：Cu(99.95±0.11%)，Te(100.13±0.35%) ，Se(99.77±0.42%)，In(100.09±0.15%) ，Ca。顯示本方法的精密度及準確度已頗能符合該材料主成分研究的需求。至於微量雜質元素的分析，本研究利用電化學及溶劑萃取法先將主要成份分離後再配合中子活化分析法實施，利用本方法分析該五元半導體料，已初步測出Al，Co，K ………等數種雜質元素。由于高準確度、高粗密度及高靈敏度的分析必須精密儀器與化學方法的互相配合，因而本實驗對各種可能的因素及結果提出一系列的研究與討論。