利用Digital Etch改善準垂直型溝槽式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體特性之研究

Thesis

利用Digital Etch改善準垂直型溝槽式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體特性之研究

余易弦

Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所

2016

Abstract

氮化鎵

準垂直

金氧半場效電晶體

GaN

Quasi-Vertical

MOSFET

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Details

Title: 利用Digital Etch改善準垂直型溝槽式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體特性之研究
Translated title: 利用Digital Etch改善準垂直型溝槽式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體特性之研究
Creators: 余易弦
Contributors: 黃智方 (Advisor)
Awarding Institution: 國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
Theses and Dissertations: Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
Language: Traditional Chinese
Resource Type: Thesis
Date published: 2017