Abstract
本篇論文重點為在半絕緣基板上製作4H-SiC橫向高電壓double RESURF金氧半場效電晶體。在double RESURF結構下，空乏區可同時在漂移區外部及內部展開，這代表在漂移區內的摻雜劑量可提高到single RESURF結構的兩倍而不至於降低崩潰電壓，因此導通電阻可大幅地降低。而將元件製作在高純度半絕緣基板上，一方面可防止基板協助空乏效應的發生，使電荷平衡變得容易控制；另一方面，垂直方向的崩潰電壓將不再受到磊晶層厚度的限制。 然而，在本次實驗中，過高的漂移區濃度使漂移區無法在閘極氧化層崩潰前被完全空乏，使元件提前崩潰在汲極電壓約100伏特左右。在正向導通特性方面，因採用較高濃度的磊晶層，導致元件擁有較高的臨界電壓與通道電阻。量測到最佳導通電阻為162 mΩ-cm2，發生在通道長度3 μm 、漂移區長度20 μm的元件上，在閘極氧化層電場限制在3 MV/cm。