Abstract
本實驗是利用超高真空電子槍在矽晶上蒸鍍銅金屬薄膜於原子潔凈下的(7x7)(111)Si 表面的界面反應藉由穿透式電子顯微鏡,X光繞射儀以及歐傑電子能譜儀的研究分析.(1)蒸鍍的銅層磊晶在矽基材上,約十個原子層厚度的界面化合物被觀測到出現在銅矽界面上.(2)以矽為基材並以銅為種層的金屬與金屬間的磊晶成長成功的在鈷,鈦,鎳,鉑,金,釩,鉬,以及鉭等金屬上發現到.(3)電性及結構分析顯示:TiW 以及TiWN 是有效且良好的阻止銅穿透下來與矽或二氧化矽接觸及反應之擴散障礙層.濺渡 TIW 時通入 5% 以及 10% 氮氣的N2-Ar混合氣所得TiWN 比TiW 效果佳.