Abstract
摻鉺光纖放大器在增益頻寬方面的進展，已將長波段通訊窗口往後延伸至1625nm左右，這促使1625nm的雷射得以應用在高密度分波多工系統中。常見的應用為光時域反射儀，可提供不中斷服務的單端光纖檢測，有效地偵測潛在的光纖損壞。另一個應用為光監控頻道通訊用雷射光源，用以監視、控制及保護高密度分波多工系統中的每一道通訊波長，使通訊品質維持所需水準。 本論文實際製作AlGaInAs/AlGaInAs、InGaAs/InGaAsP及InGaAsP/InGaAsP三種不同主動區材質的1625nm脊狀雷射，脊狀寬度為3μm。由於波長較長，故脊狀高度較高，在正極金屬連接上易出問題，成長兩層介電質以改善。為瞭解長波長歐傑效應與價帶間吸收對表現的影響，量測不同材質之電流–電壓特性、光–電流特性、光譜特性及溫度特性，藉以完整調查何者適合成為1625nm的主動區材質。 AlGaInAs、InGaAs及InGaAsP三者在腔長300μm，溫度25℃時，所得臨界電流分別為12.7mA、15.5mA及19.6mA，微分量子效率為0.138mW/mA、0.163mW/mA及0.148mW/mA，特徵溫度為44.8K、46.5K及40K，而峰波長在40mA的注入電流下，分別為1670.01nm、1642.64nm及1643.99nm。