Abstract
化學蒸氣沉積及光引發的化學蒸氣沉積愈來愈重要，因此方法可製造很多材料，尤其電子材料及太陽能電池的Si。我們由有機矽化合物Si（CH3）xCl4□x（x=0至4）在488nm 的氬離子雷射光下，光熱分解生成黑色桂狀固體的情況，選取Si（CH3）2Cl2為研究對象。研究其在雷射光下光熱分解生成黑色柱狀固體的生長速率，並由各種方法了解此產物的特性如為－－非計量、多晶態的SiCx，x 隨反應條件而異，並具有半導體的性質。亦研究Si（CH3）2Cl2在雷射光下分解速率及分解後生成 H2及HCl 的生成速率，最後更模擬Si（CH3）2Cl2在雷射光下分解的情形。Teller和Redlich 基於同位素的特性，提出乘積定律來計算同位素分子的振動頻率積。我們在此延伸此乘積定律於其他原子取代後分子振動頻率的計算，結果和實驗值比較有較大的差異，經引入價鍵力場的力常數可得擴展的乘積定律，應用於其他原子取代後分子振動頻率的計算，結果與實驗值比較差異降低很多，可與同位素分子的差異相近，亦可由擴展的乘積定律計算複雜分子的振動頻率，幫助這些分子光譜線的指認及計算分子的力常數。