3.3kV級4H碳化矽垂直型金氧半場效電晶體性能及未箝制電感切換模擬研究

Thesis

3.3kV級4H碳化矽垂直型金氧半場效電晶體性能及未箝制電感切換模擬研究

林丹晳

Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所

2017

Abstract

3.3kV

碳化矽

垂直型金氧半場效電晶體

未箝制電感切換模擬

3.3kV

Silicon Carbide

DMOSFET

Unclamped Inductive Switching Simulation

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Details

Title: 3.3kV級4H碳化矽垂直型金氧半場效電晶體性能及未箝制電感切換模擬研究
Translated title: 3.3kV級4H碳化矽垂直型金氧半場效電晶體性能及未箝制電感切換模擬研究
Creators: 林丹晳
Contributors: 黃智方 (Advisor)
Awarding Institution: 國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
Theses and Dissertations: Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
Language: Traditional Chinese
Resource Type: Thesis
Date published: 2018