600V多層RESURF超高壓LDMOS元件設計

Thesis

600V多層RESURF超高壓LDMOS元件設計

蕭敏哲

Masters, 國立清華大學, 積體電路設計與製程開發產業碩士專班

2017

Abstract

超高壓功率元件

橫向擴散金氧半場校電晶體

多層RESURF

UHV LDMOS

Multi RESURF

Power Device

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Details

Title: 600V多層RESURF超高壓LDMOS元件設計
Translated title: 600V多層RESURF超高壓LDMOS元件設計
Creators: 蕭敏哲
Contributors: 連振炘 (Advisor)
Awarding Institution: 國立清華大學, 積體電路設計與製程開發產業碩士專班; Masters
Theses and Dissertations: Masters, 國立清華大學, 積體電路設計與製程開發產業碩士專班
Language: Traditional Chinese
Resource Type: Thesis
Date published: 2018