Abstract
近年來,可見光光源的發展日益受到重視.因它非常適合應用在光資訊處理.光碟記憶系統.塑膠光纖通訊及光指示器。本論文以液相磊晶法成長磷化銦鎵晶膜於磷化砷鎵之基板上,進而成長多層晶膜以研製同質黃光發光二極體.最佳的成長條件為797C,而室溫及低溫的半高寬為41meV及14meV.同時也研究摻雜Te及Zn的電子濃度為3.6e17到2.1e18電洞濃度為3e17到4.8e18。而其室溫的PL強度在電子濃度為8e17電動濃度為1.5e18最大。而分析出Te及Zn的游離能. LED元件的起始電壓為1.15V;理想因子為1.5;EL的波長為6000nM.