Abstract
近年來，設計一個低功耗，高崩潰電壓和高速元件是一個重要的議題。功率元件為了與平面製程整合，必須將傳統垂直式的元件結構改成橫向式設計因而可與低壓電路整合於同一晶片上在本論文中利用製程與電性的影響進而設計不同結構的DDDMOS並從所選取之元件作為下線的結構。接者，從NBL模擬實驗中實現了High-side條件並從實際元件結構量測，最後得到符合預期設計的結果。
- Title
- 60V橫向汲極雙擴散電晶體之設計
- Translated title
- 60V橫向汲極雙擴散電晶體之設計
- Creators
- 陳立凡
- Contributors
- 龔正 (Advisor)黃智方 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 半導體元件及製程產業研發碩士專班; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 半導體元件及製程產業研發碩士專班
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2010