Abstract
本研究是以計算的方法探討取代基對Alq（aluminum tris(8-hydroxyqulnolinate)）中的配位基（ligand）QH的影響，包括QH、2-Me-QH、3-Me-QH、4-Me-QH、5-Me-QH、6-Me-QH、7-Me-QH、4-F-QH、4-Cl-QH、4-Br-QH、4-OMe-QH、4-NO2-QH、4-CN-QH、4-HCCH-QH、5-F-QH、5-Cl-QH、5-Br-QH、5-OMe-QH、5-NO2-QH、5-CN-QH、5-Schiffbase-QH。本文將探討QH（8-hydroxyquinoline）衍生物的相關性質，包括電子電洞的移動（mobility）、HOMO/LUMO的變化、能階差、電子游離能、電子吸附力、電荷密度及陽離子陰離子鍵長的變化。QH衍生物基本上，電子的重組能λ－都比電洞的重組能λ＋大，顯示QH是較好的電洞傳輸材料。但很明顯的，Alq是好的電子傳輸材料λ＋＞ λ－。初步計算結果顯示Al3＋引入後，對λ－會有很大的影響。在QH衍生物中，有二個衍生物其λ＋＞λ－的關係與其他不同，為5-OMe-QH及5-Schiffbase-QH。這兩個化合物與Al3＋配位後，可能會變成更好的電子傳輸材料。