Abstract
本研究以熱蒸發法，利用鋁矽合金粉末成長奈米線。先將高純度鋁粉與高純度矽粉等莫耳混合後，進行高能量球磨12小時，之後置於管式爐中加熱，並通入Ar + 10 ％ H2的氣體以進行成長。實驗結果得知利用鋁矽合金粉末的確可以成長出奈米線，而成長位置包含氧化鋁基板、矽基板、燒結粉末上下表面以及覆蓋匣缽的氧化鋁薄板上。經由HRTEM分析得知，此奈米線中心軸具有結晶結構，外層包覆一層非晶質物質，結晶多為雙晶且雙晶晶界幾乎垂直於奈米線成長方向。此外，由於在奈米線頂端未發現圓球催化顆粒，所以成長機制為VS機制，而不是VLS機制。PL量測結果發現奈米線在光譜圖中發現有2個峰值，分別為378 nm( 紫光 )和731 nm( 紅光 )。場發射量測結果顯示產生之電流密度大約在μA/cm2等級，起始電場( E0 )大約介於2.1∼2.3 V/μm之間。