Abstract
本實驗以AlCrTaTiZr等莫耳五元高熵合金為靶材，利用射頻磁控反應式濺製備高熵合金氮化物硬質薄膜，固定基板溫度350 ℃，基板偏壓為-100 V，改變氮氣流率，在氮氣流率為20 % 時有一最高硬度（35 GPa）與最低殘餘壓應力值（1.5 GPa），因此選用氮氣流率20 % 的條件鍍製氮化物薄膜於M2以及WC-6 wt % Co基板上，以作為之後附著力量測與磨耗測試分析。為改善氮化物薄膜與基板間的附著力，嘗試加入不同的中間層（Ti、Cr、AlCrTaTiZr合金）並改變其中間層厚度，以找到最佳中間層厚度的條件。實驗結果顯示，Ti、Cr、AlCrTaTiZr合金三種中間層皆能大幅地改善氮化物薄膜於WC基板上的附著力，可將臨界荷重由45 N提升至80 N以上；而僅Cr中間層能有效地改善氮化物薄膜於M2基板上的附著力，使臨界荷重由21 N提升至41 N。對於1□□m的AlCrTaTiZr氮化物薄膜而言，Ti、AlCrTaTiZr中間層厚度100 nm 時表現出一最佳附著力，而Cr中間層厚度為200 nm附著力表現最好。在磨耗測試中，在與鉻鋼球磨耗的過程中並無黏料的情形發生，此現象與商用TiN、TiAlN薄膜有所不同，此為一有趣的現象。