Abstract
常用的有機半導體分子的電子結構具有非定域性的共軛□電子雲，而使分子間的載子移動率較佳，在未來的發展與應用上具有相當的潛力，目前已經有許多應用，如有機場效電晶體、有機發光二極體與有機太陽能電池等。 本實驗利用真空蒸鍍的方式將anthradithiophene(ADT)與其衍生物5,11-Bis(phenylethynyl)Anthradithiophene(BPE-ADT)蒸鍍在乾淨金(111)上，利用程溫脫附法(Temperature-Programmed Desorption, TPD)、X光光電子發射能譜(X-ray Photoemission Spectroscopy, XPS)和近緣X光吸收細微結構光譜(Near Edge X-ray Absorption Fine Structure, NEXAFS)等表面技術來進行樣品的研究，希望探討吸附分子的電子結構、鍵結強度與成長位向等議題。 從ADT分子之TPD實驗結果得知，第一層分子與金屬基材間具有化學鍵結，化學吸附的脫附峰溫度為430 K到720 K，第二層或更厚的有機分子層僅能透過凡得瓦爾力吸附，其物理吸附的脫附峰溫度為340 K到430 K。表示不同吸附量的薄膜分子在電子結構上的差異。在NEXAFS實驗結果發現，單層ADT分子是以平躺的方式在金(111)表面上成長，多層分子與平面的夾角為40°。 在BPE-ADT分子的TPD實驗結果中，可以觀測到化學吸附的脫附峰溫度為520 K到850 K，物理吸附的脫附峰溫度為430 K到520 K，且可以發現BPE-ADT分子經高溫加熱產生變化，再利用XPS與NEXAFS的觀察得知，經加熱過後的BPE-ADT分子，推測分子支鏈的苯環會產生裂解，而支鏈的碳三鍵會發生改變，在光譜上可以看到明顯的變化。在NEXAFS的實驗結果得知，單層BPE-ADT分子的主環與表面夾角為35°，支鍊沒有固定的方向性，多層BPE-ADT分子的主環與表面夾角為35°，支鍊與表面夾角為40°。