Abstract
本研究主要在探討As-Si-Te硫屬玻璃與光學基材間的界面安定性，以反應偶實驗研究As-Si-Te及As-Te與基材Zn、ZnS、ZnSe間之界面反應。利用光學顯微鏡(optical microscope，OM)對反應偶界面進行金相觀察，使用掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM/EDX)或電子微探針(electorn probe microanalysis，EPMA)對界面生成相進行組成分析。 研究結果發現As-Te系統的玻璃形成能力GFA(glass-forming ability)及微硬度與冷卻速率有明顯之關係。在As-Te/Zn系統中，靠近As-Te合金之生成相為ZnTe。As-82.1wt%Te/Zn在380℃及395℃下界面生成速率滿足Parabolic law，顯示兩者間之界面反應為擴散控制。As-75wt%Te/Zn在395℃下之界面反應受對流效應影響。在As-Si-Te/Zn系統中，界面生成相為ZnTe，擴散路徑為熔融As-Si-Te合金/ZnTe/Zn。 在As-Te/ZnS、ZnSe系統中，As-Te合金與ZnS間接著性差，界面有裂縫存在，As-Te合金與ZnSe間接著性較佳，As-Te合金與兩基材間無界面反應發生。在As-Si-Te/ZnS、ZnSe系統上，在As-Si-Te合金與ZnS間接著性差，界面有裂縫存在，無界面反應發生。As-Si-Te合金與基材ZnSe間接著性亦不佳，有裂縫存在。在As-15at%Si-75at%Te/ZnSe在420℃下有界面反應發生，界面生成相為ZnTe。