Abstract
經過 BF ＋離子佈值過之矽晶片在 800 ℃退火處理 5 分鐘後，產生許多棒狀缺陷 ，可於電子顯微鏡底下觀察到，但仔細觀其成像，會見到在沿同方向之棒狀缺陷卻 有呈相反之對比現象（內對比、外對比），本文乃以不同溫度，觀察線缺陷之收縮 變短之現象，用以決定該種缺陷之組成份原子為硼原子。 又由缺陷之改變速率，決定其收縮過程中之瓶頸機構，為決定於缺陷內原子之放出 或缺陷內原子放出後，其擴散為瓶頸，由實驗結果知其為後者。 #2811452 #2811452
- Title
- BF2+ 離子佈植入矽晶體內棒狀缺陷之退火機構
- Translated title
- BF2+ 離子佈植入矽晶體內棒狀缺陷之退火機構
- Creators
- 吳存仁 (Author)
- Contributors
- 陳力俊 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English