Abstract
用霍耳效應和測面電阻的方法來測由BF□離子佈植矽晶片的電性。簡要討論EDM 和IDOM模型。實驗結果指出電性載子分佈曲線有一個非導電尾部。這個損傷區域是由於Ｆ原子吸附結果。
- Title
- BF2離子佈植之損傷與分佈
- Translated title
- BF2離子佈植之損傷與分佈
- Creators
- 范中興 (Author)
- Contributors
- 楊銀圳 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English