Abstract
本篇論文的內容主要是蒸鍍單分子層C60在清潔有序的Cu3Au(111)表面，首次得到4X4有序結構。 我們以較熟悉的Cu3Au(111)單晶著手，研究C60在表面上的吸附結構，試圖了解C60分子與表面原子的作用，以及對於Cu3Au在663K有序-無序相變(Order-Disorder PhaseTransition)的可能效應。 論文第一章簡介實驗姿起由背景及內容。 第二章介紹使用的超高真空(UHV)系統，C60蒸鍍過程以及Cu3Au(111)樣品單晶表面的處理。 第三章說明實驗過程並報告LEED(LowEnergy Electron diffraction)圖像，及用Auger電子能譜的峰值比來說明C60分子在表面的殘餘量。 第四章說明實驗數據及提出結論。經由實驗數據結果及討論，對於C60分子吸附在有序的Cu3Au(111)表面我們有下列結論： 1.單分子層的C60在有序的Cu3Au(111)表面形成4X4有序結構。 2.無論開始的C60的蒸鍍量為多少，在適當熱處理後，R=V272/V920的值都在1.9附近 ，表示在Cu3Au(111)表面上有C60的單一分子層。 3.C60單分子層吸附在Cu3Au(111)表面，溫度從室溫到718K之間，R值都在1.9附近。 4.C60單分子層吸附在Cu3Au(111)表面，由於較強的化學吸附作用，使得樣品在塊材 相變溫度時表面原子可能並未發生有序-無序相變。 5.高於728K的溫度，C60單分子層自Cu3Au(111)表面脫附，且在表面的吸附量隨時 間成指數形式的衰減。Formation of one monolayer C60 on Cu3Au(111) has beenstudied by low energyelectron diffraction and Auger electronspectroscopy. A well-order 4X4 structure of C60 moleculesadsorbed on Cu3Au(111) surface is observed for the first time.According to the nearly constant peak-ratio of Auger signals(V272 of C v.s. V920 of Cu) in the temperature range between theroom temperature and 718K, the 4X4 structure of C60 adlayer isstable and regardlessof the underneath bulk order-disordertransition of Cu3Au at Tc=663K. However,at elevated temperature> 728K, appearent decrease of Auger peak-ratio have beenmonitored as a function of time, which can be modeled by anArrhenius-typerate of desorption of C60 from the Cu3Au(111)surface.