Abstract
CBE技術係1984年由AT&T Bell Laboratories 之華裔科學家曾煥添博士(Dr.W.T.Tsang)發展成功的一項新技術，它係結合分子束磊晶成長法(molecular beam epitaxy，MBE)及有機金屬氣相磊晶法(metal organicchemical vapor deposition，MOCVD)之許多優點而成的一新技術。CBE法與MOCVD法又不太一樣，於MOCVD技術中，基板之表面會形成一粘滯層(stagnant boundary layer)，所有的化合物來源必需擴散進去此界層，到達基板表面後，才能起反應而形成GaAs或InP等化合物。而CBE技術中之氣體源，因於相當高真空之成長腔室中，可形成分子束於基板之表面。 CBE法若與MBE技術相比較，則具有下列優點:(1)CBE法中之III族有機金屬源於室溫時為氣體，因此簡化了多晶片成長之大量生長的可能。(2)氣體源可作無窮盡的供應，且氣體流率經由電子儀器準確地控制，大量生產更有可能。(3)祇有單獨一個III族氣體束，因此可以確保磊晶層組成之均勻性。(4)即使在高成長率下，因為沒有Ga元素之蒸發，因此沒有蛋卵形缺陷之存在，此優點對於GaAs或InP積體電路上之應用十分重要。(5)具有較大之成長率。 CBE法若與MOCVD技術相比較，則具有下列優點:(1)於多晶片大量生產系統中，沒有flow pattern的問題。(2)由於分子束的本性使得異質接面非常陡峭，而且可以形成相當薄的磊晶層。(3)由於高真空之成長腔室，因此成長環境較乾淨。(4)可以加裝分析儀器，如RHEED(Reflected High Energy Electron Diffraction)或 RGA(Residual GasAnalyzer)等，可作現場之分析(in-situ analysis)用。(5)可以作為其它高真空薄膜之形成或處理過程(如金屬蒸著，離子束milling及離子佈植等)。