Abstract
有機發光二極體 (OLED)具備自發光性以及零視角的優點，使得在OLED方面的研究越趨熱烈。於OLED的有機發光層中，Alq3為最被廣泛使用的有機發光物，其組成為三個quinoline分子與Al原子結合而成，於電子結構中，Alq3分子有最高電子佔據態 (HOMO)與電子最低未佔據態 (LUMO)分別位於phenoxide與pyridrl上。Alq3與陰極金屬間接面中的位能障，影響著電子由金屬躍遷至有機發光物的主要因素。本實驗利用同步輻射光來探討不同Ca厚度對Alq3的反應，主要觀測其化學反應與能帶接面。據實驗觀察，在Ca的厚度小於0.99 nm時，Ca / Alq3介面會產生一個新波峰於原本Alq3的能隙之中，此為Ca貢獻電荷於Alq3的電子最高未佔據態所造成，此能階的位置位於N原子上。當Ca的厚度繼續增加時，Ca費米能階出現在價帶能譜，並利用費米能階與Alq3的能隙，計算出電子躍遷的位能障為0.15 eV。並由N 1s以及O 1s的核層能譜可看出，N與O原子在Ca / Alq3介面一產生時便接受到Ca的價電子，且在O原子上的電荷轉移越來越多。當Ca的厚度大於0.99 nm時，C 1s、N 1s和O 1s核層能譜，皆產生新波峰於低束縛能的方向，再加上同時間於Al 2p出現於低束縛能方向的新波峰與Ca 3p核層能譜出現於高束縛方向的新波峰，象徵quinoline相繼離開Al原子並且逐漸破裂。