Abstract
本論文的主要目的在於使用同步輻光源,利用異常繞射精細結構法研究 CdTe/InSb 的單晶薄膜系統。一般在研究材料結構會使用X光吸收光譜,但X光吸收光譜只能針對特定元素,而繞射異常精細結構 DAFS(Diffraction Anomalous Fine Structure) 的優點在於針對特定元素分析的同時,還結合了繞射的優點,可以選擇不同的晶向 q_r 去測量。藉著 DAFS 上述的這些特點,本實驗試圖去找出 CdTe 薄膜與 InSb 基底的介面之應力變化。除此之外,由於 CdTe 與 InSb 的晶格常數非常接近,在介面的地方可能會有互相滲透的情形出現。利用在不同 q_r下測量的強度變化,去分析 DAFS 的同時,還會試著去分析兩種晶體於介面的成份變化。