Abstract
矽化物在半導體工業上引起相當的注意，因為其具有低電阻，與矽基底結合良好且穩定等優點。因此可取代鋁做為金屬接觸。在所有的金屬矽化物中，二矽化鈷是非常優良的金屬矽化物，因為它具有非常低的電阻，且能在矽晶片上長成品質很好的磊晶，可做成具有開發潛力的電子元件。本研究係利用穿透式電子顯微鏡平視及橫截式試片、四點探針電阻測量、展阻測量、陽極氧化與霍爾測量，探討離子佈植於磊晶CoSi□薄膜中，經退火處理後，缺陷產生及變化與雜質原子再分佈之情形。所用之佈植離子為P+及As，矽晶片之方向為（１１１）。重要之研究所得包括：（１）離子佈植程序並未使CoSi2變成非晶質。（２）６００℃以下溫度退火產生缺陷集合體，６００℃退火時形成差排線及差排環。（３）８００℃退火後缺陷幾乎完全消除。（４）有覆蓋SiO 之 CoSi2退火後產生的缺陷較多。（５）佈植As+經退火後As+並未進入矽中，而佈植P+之情形，P+也不能進入矽中形成淺接面，（shallow junction）。（６）電阻測量顯示CoSi2之電阻係數隨退火溫度之升高而降低至未佈植前之水平。論文中並詳細討論缺陷之形成及轉變情形與影響雜質再分佈之因素等。