Abstract
綠色能源產業已成為全球新興產業發展的趨勢，太陽能電池是綠色能源中重要貢獻者之一，薄膜太陽能電池可以實現低成本、大面積的工業化生產，市面上薄膜電池產品使用的材料中，以CIGS為材料是具潛力的薄膜電池之一，而CIS薄膜的製備是CIGS薄膜材料製備的基礎。與電池表現有極大關聯的光吸收層，在使用預置層硒化法製備此層的製程中，界面反應扮演了重要的角色。 本研究探討Cu2Se/In塊材的界面反應，在350℃與450℃的反應溫度下，觀察兩材料的界面處情形，界面生成相隨著時間增加而增厚，其反應路徑為Cu2Se/Cu-rich CIS/In4Se3/In，在反應後期，CIS相呈現slightly Cu-rich的組成，並在Cu2Se相中與底端觀察到CIS相的生成，最後將界面反應結果與相圖作連結繪製反應路徑。