Abstract
缺陷存在於所有半導體中。若缺陷形成深層陷阱其對元件之特性影響甚具 。低溫成長多晶矽薄膜是未來大面積元件如太陽能電池及薄膜電晶體等的 一大關鍵。本研究是利用ECR-CVD系統來成長磷摻雜多晶矽薄膜於矽晶片 上,並製成蕭基二極體來研究多晶矽薄膜的深層陷井位置。電流-電壓的關 係顯示蕭基階面還不錯。另一方面,從電容-電壓的關係所推出的空乏寬 度,與高解析電子掃描顯微鏡照片確定此磷摻雜多晶矽薄膜在製成蕭基接 面時已完全空乏了。因此,在作DLTS 量測時,我們所加之偏壓,均加至順 偏,希忘能看到多晶矽薄膜的深層陷阱。如果從兩個電阻串聯,電位大多會 落在大電阻的觀點來看,我們仍然可以確定一些從DLTS 所量出的深層陷阱 是來自於多晶矽薄膜。我們也找出了一些陷阱來源。與微晶氫化矽膜所量 到約缺陷濃度相比,多晶矽薄膜顯得乾淨多了。