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Thesis
DRAM運用之Ta2O5薄膜電容下電極材料的研究
黃俊凱
Masters, 國立清華大學, 材料科學工程學系
1998
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Abstract
動態隨機記憶體
五氧化二鉭
底電極
鎢
釕
漏電流
做得很好
平坦度
DRAM
Ta2O5
bottom electrode
W
Ru
leakage current
do the good job
roughness
using W(N)、TiW(N)、Ru、RuTi、RuTa as bottom electrodes,do RTO or RTN 60sec. then do somthing
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Title
DRAM運用之Ta2O5薄膜電容下電極材料的研究
Translated title
DRAM運用之Ta2O5薄膜電容下電極材料的研究
Creators
黃俊凱
Contributors
吳泰伯 (Advisor)
Awarding Institution
國立清華大學, 材料科學工程學系; Masters
Theses and Dissertations
Masters, 國立清華大學, 材料科學工程學系
Language
Traditional Chinese
Resource Type
Thesis
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