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DRAM運用之Ta2O5薄膜電容下電極材料的研究
Thesis

DRAM運用之Ta2O5薄膜電容下電極材料的研究

黃俊凱
Masters, 國立清華大學, 材料科學工程學系
1998

Abstract

動態隨機記憶體 五氧化二鉭 底電極 漏電流 做得很好 平坦度 DRAM Ta2O5 bottom electrode W Ru leakage current do the good job roughness
using W(N)、TiW(N)、Ru、RuTi、RuTa as bottom electrodes,do RTO or RTN 60sec. then do somthing

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