Abstract
在本篇論文中，主要探討CIAS 太陽能電池其硒化步驟對於元件效率的影響，除了延續學長使用的多層金屬來當為 CIAS 薄膜的前驅物(precursor)，另外還採用了單層合金來做為前驅物，合金的前驅物使得金屬在硒化的過程中能夠更均勻的反應，接著更深入的探討硒化步驟在CIAS薄膜特性上的影響，採用了一階段硒化法，兩階段硒化法，以及兩階段低溫硒化法，在兩階段硒化上大幅的間少了在Mo與CIAS層之間產生的MoSe2使元件的Fill factor上升，而達到改善效率的目的。 使用兩階段硒化法的元件效率為1.11%，開路電壓0.4514 (V)，短路電流為6.33 (mA/cm2)，填充因子為38.85%，而使用兩階段低溫硒化之元件效率提升為4.19%，開路電壓為0..5026 (V)，短路電流為15.32 (mA/cm2)，填充因子為54.43%。