Abstract
本研究欲發展改良型欄柵太陽能電池，結合便宜的蝕刻技術電化學蝕刻法，成功的製作出新型結構之矽基板，具優良的抗反射效果與多的表面積，應可用來當作太陽能電池基板，以提升光的捕捉效應與增加p-n介面的面積。因此，本論文主要討論蝕刻參數對基板形貌的影響。並製作出電池，討論不同基板形貌還有利用HDP CVD 及高溫爐管長成二氧化矽來比較表面鈍化對電池電性的影響。當電化學蝕刻成長多孔矽時，可觀察到不同條件會形成不同的表面。多孔矽深溝渠結構成功的蝕刻，且分佈均勻，溝槽間距約2μm，深度決定約10μm左右，可避免高溫擴散n+射極時因間距太窄而失去p-n介面。比較不同基板形貌對電池電性的影響，多孔矽基板製作出的太陽能電池，Jsc有明顯的上升，效率有提升的趨勢，而在經過表面鈍化後的Voc也會有明顯上升，可以此技術來製作高效率太陽能電池。