Abstract
無線通訊技術在近年的發展相當迅速,在通訊系統前端(front end)部分,系統架構不斷更新,在個別電路亦有許多進步,目前為了降低成本,以及和後端邏輯電路的整合,製程也從早期的三五族電晶體,改變為矽基板的金氧半電晶體技術。 功率放大器在整個系統中,是不可或缺的一部分,主要旳目的是將信號提升到一定的功率,這個信號會被送到天線,而放大器本身也會消秏一定的功率,理想的放大器本身應該不消秏任何功率,也就是所有的功率都被送到負載,在無線通訊的前端系統中,這個功率放大器在設計上,和其他的電路系統是分開的,以防止大電流和大電壓對其他電路的干擾。 本論文則希望以金氧半電晶體設計符合GSM規格的放大器,頻帶在900MHz,輸出功率30dBm,效率在40%以上的功率放大器。論文的第一章是簡介,在第二章中,將對功率放大器的各種架構及其操作運理作介紹與討論,第三章是功率放大器的電路設計和模擬結果,第四章是電路量測結果與討論,第五章是結論。 我們回顧了各種功率放大器的架構,並考量現在射頻功率放大器的需求,採取差動對的架構,及E類的功率放大器,以減低基板雜訊的影響, 並提高輸出功率,在佈局上則考量對稱性及大電流的影響,採用COB (Chip On Board)的方式完成整個電路。 在主動式Balun的部分,我們獲得了初步的結果在500MHz以下的頻率,兩個輸出端的增益和模擬結果相當吻合,達到了7dB,,兩個輸出端的相位角在900MHz時為接近完全反相。