Abstract
全篇主要分為兩部分做探討，第一部分為使用 HDPCVD 製作非晶矽p-i-n 結構和 p-n-n 結構太陽電池，第二部分則是使用 HDPCVD 和ECRCVD 製作類-SPA 結構矽太陽電池。首先，我們在晶圓上沉積氧化層及鋁金屬，接著製作非晶矽 p-i-n 薄膜和 p-n-n 薄膜，並且量測其相關特性，我們可以發現兩種結構幾乎呈現相同的效率，但是 p-n-n 結構有著較高的短路電流以及較低的開路電壓。其中 p 層載子濃度不夠高導致無法形成較理想的歐姆接觸，並且造成空閥區電場無法落在吸收層上。另一方面，吸收層 n 層沉積速率遠高於 i層，導致 n層薄膜品質不如 i層，造成較低的開路電壓。第二部分，當我們在製作類-SPA 結構時，可以發現使用 ECRCVD 沉積較高載子濃度的 p 層確實可以提升電池的效率，但是也由於在機台轉移的過程中形成氧化層造成較高的串聯電阻導致填充因子的下降。