Abstract
二矽化鐵（FeSi2）有二種相：α和β相，α相為金屬且在高溫穩定，β相為暫穩相，是半導體具有直接能隙（direct energy gap）０．８７ eV，在光電元件上有應用價值。本研究係利用穿透式電子顯微鏡平視及橫截式試片，四點探針電阻量測，展阻量測（spreading resistance measurement）及陽極氧化兼霍爾（Hall）量測探討FeSi ╱Si系統As+離子佈植後缺陷分析及離子再分佈的情況。研究結果包括：?經離子佈植後產生非晶質層；?退火後多晶態疊差（ poly －typestacking fault）的產生及相變化（α轉至β）；?電阻量測顯示非晶質狀態具有較低之電阻（sheet resistance），阻值在６００℃時達到最高點，而後在９００℃降至最低；?展阻量測顯示As+離子在有覆蓋二氧化矽（SiO□）層的情況下退火，離子會進入矽基底內。在無覆蓋二氧化矽的情況下則不會；?陽極氧化後以霍爾量測法測得雜質離子濃度；?淺接面（shallow junction）可藉由離子佈植在FeSi 內退火後達到。對於非晶質層的形成、特性、多晶態疊差、As+ 離子之再分佈情況，本文中有詳盡的討論。