Abstract
本論文主要探討以不同濃度、不同轉速旋塗發光層Ga(2Meq)2Piv與電洞傳導層TDAPB的分層結構以及將Ga(2Meq)2Piv與TDAPB以不同比例混合的混合層結構所製備的發光二極體光電特性，藉由原子力顯微鏡觀察ITO導電玻璃及其上旋塗薄膜後的表面粗糙度，並經由PL光譜分析不同轉速旋塗下的Ga(2Meq)2Piv薄膜的性質。Ga(2Meq)2Piv在不同轉速的旋塗條件下，其PL主峰皆在530 nm，而在低轉速(2000 rpm)時其主峰強度較弱。PEDOT：PSS可有效改善ITO表面粗糙度，TDAPB可防止因PEDOT與Ga(2Meq)2Piv皆溶於MeOH所造成的表面不均勻，TDAPB/Ga(2Meq)2Piv介面也可使電子和電洞累積以提高光電效率。分層結構中在相同旋塗轉速下，當TDAPB或Ga(2Meq)2Piv濃度越大，所得薄膜厚度越厚、串接電阻越大。在定電場下有機發光元件的電流密度改變不大，發光亮度與光電效率卻隨之增大。TDAPB的旋塗轉速增大，元件有較大的發光亮度與光電效率，但是Ga(2Meq)2Piv的旋塗轉速對元件的光電效率影響不明顯。TDAPB或Ga(2Meq)2Piv薄膜厚度太小時會產生針孔，使得元件的逆向電流密度大幅提高而降低了元件的整流比。混合層結構中TDAPB或Ga(2Meq)2Piv的濃度不同，定電場時元件的串接電阻、電流密度與發光亮度也不同。元件的光電效率隨TDAPB濃度降低，Ga(2Meq)2Piv所佔濃度比例越大而增大，但是TDAPB濃度小於0.5wt %時，因產生針孔使得漏電流增加，元件整流性不理想。相同的TDAPB與Ga(2Meq)2Piv濃度組合時，分層結構元件的發光亮度、光電效率比混合層結構元件大，但是整流比較小。