Abstract
在乙二醇和弱酸混合的水溶液里, 利用電化學氧化法在GaAsl-xPx 半導體表面上長絕緣性的氧化層。這一層氧化物經由Ellipsometry,Auger electron Spectrscopy 和Ra-man散射的廣泛研究之后, 發現它的組成和性質強烈受到氧化過程中使用的電解液和電流密度、大小的影響。同時Raman 散射實驗的結果顯示, 砷元素在GaA 中半導體和氧化物界面上出現是高溫熱處理過程中不可避免的現象。但是在GcAs P 卻沒有這種情況發生其可能的理由是砷元素和磷元素形成新的固態相, 造成來自界面砷元素加強性Raman 散射效應的減低。