Abstract
1993年 IBM Research Center 的 A.Zaslavsky 等人，對 P 型 Si/SiGe 的共振穿隧二極體做共振磁穿隧的量測，他們發現在加入高縱向磁場時，共振穿隧二極體的 I-V 曲線比無磁場時多了一些峰值。在觀察這些實驗結果，我們認為磁場下的電流穿隧決定於每一個入射態的藍道能級，而多出的電流峰值，是由於藍道能級的跳躍，這個現象的原因應該部份來自於材質的非均向性。本論文中，將材質化簡，以非均向性較小的材質－－GaAs/GaAlAs 來觀察非均向性對材質造成的效應。在論文中，我們以 Luttinger Hamiltonian 來描述系統狀態，以諧振子的完全集合對波幅函數做展開，然後說明在均向性系統與非均向性系統中波函數的關係。並且由此做電流的計算。由論文的結果，可知非均向性效應對電流有很大的影響，這樣的結果可經由解出穿隧量子井中束縳能階的方法去分析瞭解，藉著每一個束縛能階的混成比例，去了解穿隧前後能階之間的關係。