Abstract
本論文為研究 GaAs與 CdTe單晶之X光三光共振繞射的機制與行為，主要是利用同步輻射能量可調的特性，選擇某些特定能量(包含共振能量)及晶體正反兩面與某些特定之原子面進行三光複繞射，當入射之X光能量接近晶體中某包含原子之K-edge或L-edge能量時，即所謂共振能量時，我們發現其複繞射相位與強度分佈均出現明顯的變化，我們也嘗試以動力繞射理論解釋此一現象，由理論計算配合實驗結果得知原子之異常色散效應使得參與反射之結構因子的相位產生變化，尤其對某些弱反射，其之相位變化可達 。因此三光繞射所涉及之結構因子三重積相位也隨之改變，同時影響了繞射強度的分佈情形。