Abstract
本論文可分成兩部分討論，第一部分是氮化鎵高電子移導率電晶體模型的建立，包含小訊號及大訊號模型，第二部分提出了兩種不同的被動混頻器架構，包含基頻混頻器與次諧波混頻器。 在第一部分首先我們利用cold-FET量測來萃取出外部寄生的電阻和電感值，再利用Y參數將外部寄生的參數扣除掉之後，可以計算出內部等校電路的元件值。在本論文中採用Angelov的模型做為我們的電流模型，此模型中的各個參數可利用擬合的方式獲取，另外將內部元件值隨電壓變化的關係也用方程式擬合，最後在ADS中建立出完整的電晶體等效模型，並比較量測與模擬的直流特性與S參數。 在第5章中，我們提出一種寬頻高線性度的被動混頻器，此混頻器是利用第2和3章建立出的電晶體模型來設計，我們所採用的元件大小是2×100 μm，IF頻率固定在1 GHz，可得到頻率操作在11-18 GHz，轉換損耗最小為7.9 dB的被動混頻器，此混頻器的P1dB和IIP3為13和22 dBm。 在第六章中，我們提出另一種被動混頻器架構，此混頻器是利用穩懋半導體提供的0.15 μm pHEMT 元件設計並製作，此混頻器操作在11-21 GHz，擁有轉換損耗8.8-11.8 dB，其P1dB和IIP3為3和6 dBm。