Abstract
由於傳統稀土過渡金屬磁光光碟記錄材料大多為 TbFeCo, 當以短波長雷 射為讀取光源時, 關係到寫入資料之再生訊號的克爾角度 (Kerr angle) 將會變小, 造成 CNR 值的降低, 影響碟片之品質, 因此, 在下 一代朝短波長以提高碟片容量時,TbFeCo 將不適用於短波長雷射之記錄 媒體, 而本文的目的, 即是在尋找適用於下一代短波長雷射之磁光材料. 本篇論文以蒐集適用於短波長之磁光材料為開端, 根據所匯整的資料顯 示, 適用於短波長的磁光材料大致可分為以下四種, 分別是:MnBi, Garnet,RETM 合金膜與 CoPt 多層膜, 在經過製程, 磁性與磁光特性的 比較之後,我們選擇在 TbFeCo 內添加 Gd, 來當作本論文之研究主題. 我們將 GdTb 與 FeCo 的合金靶, 以直流磁控共濺鍍 (DC magnetron cosputtering) 的方式, 固定 GdTb 靶的濺射功率並改變 FeCo靶的的濺射功率, 將不同成份組成的 GdTbFeCo 四元合金薄膜,鍍在 玻璃基板上, 再於磁光薄膜上鍍上一層 AlN, 當作防止氧化的保護層, 將鍍好的樣品分別以 x step 量測膜厚, ICP MS 分析薄膜之成份組 成, SQUID 量測磁性, 以及利用 Kerr loop tracer量測不同波長下之克 爾角度. 根據量測分析結果發現, 藉由 Kerr loop tracer 於波長 420 至 850nm 間的 Kerr loop 量測, 不論所鍍製的薄膜樣品為 RE rich 或是 TM rich 的成份組成, 其克爾角度均不會隨波長變短而衰 減, 因此,在傳統的 TbFeCo 磁光材料內, 適量的添加 Gd, 將使得此四 元合金 GdTbFeCo 薄膜的克爾角度, 不會隨波長而有所改變, 換言之, GdTbFeCo 薄膜在長波長與短波長的克爾角度並無明顯之差異, 對下一代 朝短波長發展的磁光光碟而言,GdTbFeCo 四元合金薄膜將會是具有應用潛 力的.