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GeSi/Ge 薄膜X光掠角多光共振繞射研究
Thesis

GeSi/Ge 薄膜X光掠角多光共振繞射研究

秦嘉鴻
Masters, 國立清華大學, 物理系
1999

Abstract

掠角繞射法 共振能量 散亂度 複繞射 干涉現象 薄膜 多光複繞射 晶格的錯位 thin-film subtrate GIXD mosaic spread Multi-wave Resonance Grazing Incidence X-ray Diffraction GeSi/Ge
本篇論文主要在利用掠角繞射法(GIXD)來探討跟觀察薄膜(thin-film)跟基板(subtrate)間繞射光的之間的關係,所 選用的樣品為Ge0.9Si0.1/Ge,厚度分別為:90 A、1mm,並選擇在特定的共振能量,及特定的繞射平面(4 4 0)、(4 0 4)使其 產生多光複繞射,觀察薄膜跟基板繞射光的相互干涉現象及其隨能量變化時的關係,並用三光複繞射的公式去嘗試 求解其相位問題,然後使能量遠離共振能量,計算並分析樣品的散亂度(mosaic spread)跟其晶格失配情形(mismatch)。 本文首先將簡單的介紹此實驗樣品及相關的實驗儀器,並簡單的介紹X-ray繞射的基本理論,然後就掠角繞射的 理論、應用跟實驗步驟加以闡述,最後分析實驗所得的數據,計算樣品的散亂度、晶格的錯位及在共振能量下多光 複繞射的干涉現象。

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